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几类器件慎重采用串并联结构设计

面包板社区 2018-01-05 11:46 次阅读
几类器件慎重采用串并联结构设计。继电器不允许并联一起以提供较大电流、两只电容或两只开关类管子(IGBT、三极管、MOSFET等)不用于串联结构以解决单只耐压不足的问题。 原因是:在希望开关管同步导通的时候,实际工作中,两个的完全同步是做不到的,这种微小的差异会导致的潜在隐患是一只导通,另一只尚未导通时,全部的耐压会施加到一只管子上去,反而容易导致器件的损坏,这在可靠性模型上其实是容易带来问题的串联模型,并不是我们从功能设计理解上的两只一起分压实现的并联模型。 通过两只继电器并联提供较大电流,继电器的触点的同步性也是难以保证的,这样,启动初期,一直刚导通,另一只还未导通,易引起继电器触点粘连。 电容的串联是因为电容的容值误差较大,串联使用时,其上的分压会偏差比较大,所以,最好在每支电容的两端并上一只电阻(两只阻值的比值大小与电容的容值比例大小相同,且阻值不要太小,以免静态电流大导致静态功耗高)
几类器件慎重采用串并联结构设计

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原文标题:器件串并联使用的设计风险 文章出处:【微信号:gh_bee81f890fc1,微信公众号:面包板社区】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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