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SST38VF6401/6402/6403/6404中文资料数据手册PDF免费下载(串行闪存)

资料大小: 7.23 MB 所需积分: 0 下载次数: 用户评论: 0条评论,查看 上传日期: 2017-10-30 上 传 者: 李倩他上传的所有资料

资料介绍

标签:SST38VF6401(1)闪存(338)
  SST38VF6401、 SST38VF6402、 SST38VF6403 和 SST38VF6404 器件是采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 4M x16 CMOS 高级多用途闪存 +(Advanced MPF+)器件。与其他方法相比,分离栅极单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可制造性。 SST38VF6401/ 6402/6403/6404 使用 2.7-3.6V 电源进行写操作 (编程或擦除)。这些器件遵从 x16 存储器的 JEDEC 标准引脚分配。 SST38VF6401/6402/6403/6404 具有高性能的字编程能力,其典型字编程时间为 7 µs。写缓冲区编程功能的典型字编程时间为 1.75 µs,可支持更快速的字编程性能。这些器件使用翻转位或数据 # 查询来指示编程操作是否完成。除了单字读取之外, Advanced MPF+ 器件还提供了页读功能,对于同一页上的字,可支持 25 ns 的更快字读取时间。为了防止意外写操作,SST38VF6401/6402/6403/6404 提供了片上硬件和软件数据保护方案。这些器件针对一系列广泛应用进行设计、制造和测试,可擦写次数为 100,000 次 (最小值)。数据额定保存时间则大于 100 年。 SST38VF6401/6402/6403/6404 适用于需要方便且经济地更新程序、配置或数据存储器的应用。对于所有系统应用, Advanced MPF+ 都可以显著提高性能和可靠性,同时降低功耗。相较于其他闪存技术,这些器件本质上在擦除和编程期间消耗的能量更低。消耗的总能量是应用中施加电压、电流和时间的函数。对于任何给定的电压范围,SuperFlash 技术的编程电流更低、擦除时间更短;因此,在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术。在降低程序、数据和配置存储应用成本的同时,这些器件还可以提高灵活性。SuperFlash 技术支持固定的擦除和编程时间,时间与所发生的擦除 / 编程周期数无关。因此,系统软件或硬件不需要进行修改或降额,这一点不同于其他一些擦除和编程时间会随擦除 / 编程周期数累积而增加的闪存技术。 SST38VF6401/6402/6403/6404 还提供了灵活的数据保护功能。需要通过存储器保护功能来防止编程和擦除操作的应用可以使用引导块保护、独立块保护和高级保护功能。对于需要永久性解决方案的应用,可通过不可逆块锁定功能为存储块提供永久性保护。为了满足高密度、表面贴装的要求,SST38VF6401/6402/6403/6404 器件提供了 48 引脚 TSOP 和 48 球 TFBGA 封装。关于引脚分配,请参见图 2 和图 3 ;关于引脚说明,请参见表 1。
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