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SST39VF1601/1602/SST39VF3201/3202原文资料数据手册PDF免费下载(CMOS的SuperFlash技术)

资料大小: 0.33 MB 所需积分: 0 下载次数: 用户评论: 0条评论,查看 上传日期: 2017-10-30 上 传 者: 李倩他上传的所有资料

资料介绍

标签:SST39VF1601(1)CMOS(1137)
  sst39vf160x和sst39vf320x设备100万x16和2M的X16,分别为CMOS多用闪光加(强积金+)与SST的专有制造,高性能CMOS的SuperFlash技术。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器与其他方法相比,具有更好的可靠性和可制造性。的sst39vf160x / 320x写(编程或擦除)以2.7 - 3.6V的电源供应。这些设备符合JEDEC标准管脚为X16的记忆。配备高性能的Word程序,该sst39vf160x / 320x器件提供了一个典型的wordprogram时间7µ秒。这些设备使用的切换点或数据#投票表明程序运行完成。为了防止无意写入,他们有片上硬件和软件数据保护方案。设计,制造和广泛的应用测试,这些设备提供保证具有典型的耐力100000个周期。数据保留率超过100年。的sst39vf160x / 320x器件适用于需要方便和经济的更新程序,配置应用程序或数据存储器。对于所有系统应用,它们显著地提高了性能和可靠性,同时降低了功耗。它们在擦除和编程过程中使用的能源比其他闪存技术要少。所消耗的总能量是所施加的电压、电流和应用时间的函数。因为对于任何给定的电压范围,使用更少的SuperFlash技术电流程序并擦除时间短,消耗的总能量在任何擦除或编程操作比其他闪存技术。这些设备还提高了灵活性,同时降低了程序、数据和配置存储应用程序的成本。的SuperFlash技术提供固定的擦写次数,独立的擦除/编程周期已发生。因此,系统软件或硬件不必按照其他闪存技术进行修改或降级,它们的擦除和程序时间随着累积擦除/程序周期的增加而增加。为了满足高密度,表面贴装的要求,sst39vf160x / 320x是提供48引脚TSOP和48球TFBGA封装。参见PIN作业的图2和图3。
SST39VF1601/1602/SST39VF3201/3202原文资料数据手册PDF免费下载(CMOS的SuperFlash技术)

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